1. Tämä sivusto käyttää evästeitä. Jatkamalla tämän sivuston käyttöä, annat suostumuksesi evästeiden käytöllemme. Lue lisää.

Mobiili.fi Samsung aloitti jo valmistuksen 10 nanometrillä – piirit päätyvät muun muassa Galaxy S8:aan?

Keskustelu osiossa 'Matkapuhelinuutiset', aloittaja Uutissyöte, 17/10/16.

Viestiketjun tila:
Ei auki vastauksille.
  1. Uutissyöte

    Uutissyöte

    Liittynyt:
    28/6/15
    Viestit:
    559
    Tykkäykset:
    0
    [​IMG]Samsung Electronics on kertonut aloittaneensa järjestelmäpiiren massituotannon uudella 10 nanometrin FinFET-tuotantoprosessilla.

    Samsungin mukaan se siirtyi uuteen tuotantoprosessiin nyt ensimmäisenä maailmassa. Uudessa prosessissa hyödynnetään 3D-transistorirakennetta.

    Kuten yleensäkin, myös uusi 10 nanometrin tuotantoprosessi vähentää lämmöntuotantoa ja osittain näin mahdollistaa myös korkeamman suorituskyvyn. Samsungin mukaan aiempaan 14 nanometrin tuotantoprosessiin nähden 10 nanometrillä säästyy 30 prosenttia piirin pinta-alasta, ja suorituskyky kasvaa 27 prosentilla tai virrankulutus vähentyy 40 prosentilla.

    Myöhemmin vuoden 2017 toisella neljänneksellä Samsung lupaa vielä parannettua toisen sukupolven versiota 10 nanometrin prosessista


    Samsung kertoo uudella 10 nanometrin tuotantoprosessilla varustettujen laitteiden tulevan markkinoille varhain ensi vuonna ja laajemmin vuoden 2017 aikana.

    Samsungin oman Exynos 8895 -piirin ja Qualcommin Snapdragon 830:n odotetaan olevan ensimmäisiä 10 nanometrin tuotantoprosessilla valmistettuja. Niitä molempia odotetaan myös Samsungin tulevaan omaan Galaxy S8 -huippupuhelimeen.

    Jatka lukemista...
     
Viestiketjun tila:
Ei auki vastauksille.

Jaa tämä viestiketju